作为目前全球最大的晶圆代工厂，台积电（TSMC）并没有满足于现状，在工艺研发上依然非常进取。近日，台积电重申，有信心其N2，N3和N4工艺将按计划推出，保持先进节点工艺上的领先优势。其最新的CapEx计划，很大程度上表明了对未来前景的信心。
据Anandtech报道，台积电今年300亿美元的资本预算中，约有80％将用于扩大先进技术的产能。有分析师指，其中大部分资金将用于扩大N5产能，届时产能将提到至每月11万至12万片晶圆（WSPM）。同时，其资本支出的10%将用于先进的封装和掩模制造，另外10%将用于特殊技术开发，包括成熟节点的定制版本。台积电CEO魏哲家表示，N5的批量生产已经进入第二年了，产量要比最初计划的要好，预计2021年将贡献约20％的晶圆代工收入，而且未来几年的需求将继续增长。
台积电计划今年下半年N4工艺进入风险生产阶段，并在2022年投入批量生产。与N5工艺相比，N4工艺可以提供更多的PPA（功率、性能、面积）优势，但保持了相同的设计规则、设计基础设施、SPICE模拟程序和IP。由于N4工艺进一步扩大了EUV光刻工具设备的使用范围，还减少了掩模数量、工艺步骤、风险和成本。
到了2022年，台积电将推出全新的N3工艺，该工艺将继续使用FinFET，但预计将提供一整套PPA改进方案。台积电承诺N3工艺会将性能提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。根据结构的不同，新节点还将使晶体管密度提高1.1到1.7倍。台积电在N3工艺上将进一步增加EUV层的数量，同时会继续使用DUV光刻技术。由于不需要重新设计新一代电子设计自动化(EDA)工具和开发全新的IP，相对于三星基于GAAFET/MBCFET的3GAE，可能更具竞争优势。
魏哲家表示，N3工艺的风险生产将在2021年内启动，目标是在2022年下半年实现量产，推出后将成为PPA和晶体管技术中最先进的代工技术。N3工艺将是台积电在N5工艺后的又一个完整节点，将使用FinFET晶体管结构为客户提供最佳的技术成熟度，性能和成本。
在台积电看来，N5工艺和N3工艺都将成为台积电实现大规模量产以及长时间使用的节点工艺。
Gate-all-around FETs（GAAFET）仍是台积电发展路线图的一部分，预计会在N3以后的工艺上应用。目前台积电正处于下一代材料和晶体管结构的探索阶段，这些材料和晶体管结构将在未来许多年内使用。此外，台积电的探索性研发工作集中在2nm工艺节点、3D晶体管、新存储器和low-R interconnect等领域，为未来的许多技术平台打下坚实的基础。
目前台积电正在扩大Fab 12晶圆厂的规模，和提高其研发能力，这里负责研发3nm、2nm甚至更先进的制造工艺。
台积电相信，其everyone’s foundry的战略使其在规模、市场份额和销售方面进一步增长。同时，台积电还期望继续保持技术领先的地位，这对于其增长至关重要。台积电副总裁兼首席财务官黄文德表示，预计2021年晶圆代工行业的增长率约为16％，台积电将有20%左右的增长，超越行业水平。
台积电拥有强大的技术路线图，每年都在推出改进的前沿工艺节点，以可预测的规划为客户提供技术改进。同时，台积电知道如何与拥有尖端工艺技术的对手竞争，现阶段英特尔代工服务（IFS）也不能造成直接的威胁。
分析师普遍对台积电持乐观的态度，预计在未来一段时间内，在N3和N5工艺节点上，将不会有竞争对手可以提供类似的晶体管密度和产能，台积电可以继续保持领先。
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